Поиск по Новостям электроники
« 2018 « Декабрь
ПнВтСрЧтПтСбВс
     12
3456789
10111213141516
17181920212223
24252627282930
31      

 
- радиодетали  |  - справочник  |  - форум  |  - блог  |  - приборы  |  - eeDigest  |  - datasheets
27.08.2011 /Усилители Усилители компании NXP Semiconductors для беспроводной инфраструктуры
Такие параметры как чувствительность и интермодуляция требуют использования в приемниках современных базовых станций беспроводных систем связи малошумящих усилителей с коэффициентом шума менее 1 дБ и высокой линейностью. В последнее время данные требования можно реализовать лишь в приборах на основе составных полупроводников типа GaAs PHEMT. Однако компания NXP Semiconductors разработала собственную SiGe технологию, которая в сравнении с GaAs технологией позволяет получить сопоставимые или лучшие характеристики по линейности, потреблению мощности, чувствительности к внеполосным сигналам, а также выходной мощности. Компания разработала серию BGU705x малошумящих усилителей с высокой линейностью на основе SiGe:C BiCMOS технологии, которая позволяет получить граничную частоту усиления 130 ГГц.

По материалам сайта Паяльник (http://news.cxem.net)


Последние новости Подпишитесь на RSS канал
Цифровые усилители для динамиков класса D

Цифровые усилители для динамиков класса D обеспечивают превосходное качество звучания.Звуковые усилители класса D с цифровым входом компании Maxim показывают лучшую в классе устойчивость к джиттеру для получения превосходного качества звучания. [Читать дальше...]