Поиск по Новостям электроники
« 2018 « Октябрь
ПнВтСрЧтПтСбВс
1234567
891011121314
15161718192021
22232425262728
293031    

 
- радиодетали  |  - справочник  |  - форум  |  - блог  |  - приборы  |  - eeDigest  |  - datasheets
26.12.2011 /Дискретные компоненты Новый MOSFET транзистор STW88N65M5

Последнее пополнение в семействе силовых полевых МОП-транзисторов (MOSFET) MDmesh™ V на базе лидирующей на сегодняшний день технологии Super-Junction (Супер-переход), устанавливает новый рекорд, позволяющий ещё больше повысить эффективность бытовых приборов и преобразователей солнечной энергии.

Женева, 20 декабря 2011 года - STMicroelectronics (обозначение Нью-Йоркской биржи: STM), глобальный лидер индустрии полупроводников, предоставляющий целый спектр услуг в области электроники, побил мировой рекорд высоковольтных мощных полевых МОП-транзисторов представлением нового члена семейства MDmesh V, уже лидировавшего в отрасли по эксплуатационным характеристикам, имеющего наилучшее сопротивление открытого канала на единицу площади кристалла для достижения наивысшей производительности и плотности мощности в классе устройств до 650В, что позволяет улучшить ключевые показатели эффективности более чем на 23%. Это является гигантским скачком в уменьшении тепловых потерь энергии в преобразователях электроэнергии, используемых в таких системах, как электронное управление освещением, блоки питания бытовых приборов и преобразователи солнечной энергии.

”Новый рекорд подчёркивает и укрепляет лидерство компании ST в области полевых МОП-транзисторов на базе технологии Super-Junction, в которой наши MDmesh V представляют последнее достижение хорошо зарекомендовавшей себя технологии Multi-Drain Mesh (мультистоковая ячейка – прим. пер.) компании ST”, сказал Маурицио Джудиче, директор по маркетингу отделения силовых транзисторов компании ST. “Повышенная производительность позволит снизить потребление энергии бытовыми приборами, что подтверждает обязательства компании ST по производству продукции, дружественной по отношению к окружающей среде, обеспечивая при этом высокую производительность путём проектирования и разработки инновационных продуктов”.

Ранее представленный полевой МОП-транзистор STW88N65M5 семейства MDmesh V обладает наименьшим в отрасли сопротивлением открытого канала 0.029 Ом для устройств класса до 650В в стандартном корпусе TO-247. Что улучшает предыдущий отраслевой стандарт, составляющий 0.038 Ом, также установленный устройствами MDmesh V. Это даёт возможность разработчикам конечных продуктов повышать энергоэффективность простой заменой полевых МОП-транзисторов с более высоким сопротивлением или использовать меньшее количество устройств параллельно и, таким образом, снизить габаритные размеры и затраты на материалы.

Запас прочности STW88N65M5 и других MDmesh V устройств фирмы ST в классе по напряжению до 650В является более высоким, чем у устройств класса до 600В конкурирующих производителей. Это повышает способность полевых МОП-транзисторов выдерживать всплески напряжения, обычно присутствующие в линиях переменного тока.

Новый STW88N65M5 уже доступен для заказа в корпусе TO-247, стоимость составляет 20$ в партии от 1000 шт.


По материалам сайта Паяльник (http://news.cxem.net)


Последние новости Подпишитесь на RSS канал
Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге «ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!», который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске. [Читать дальше...]