Поиск по Новостям электроники
« 2018 « Май
ПнВтСрЧтПтСбВс
 123456
78910111213
14151617181920
21222324252627
28293031   

 
- радиодетали  |  - справочник  |  - форум  |  - блог  |  - приборы  |  - eeDigest  |  - datasheets
19.02.2007 /Микросхемы памяти Компактная FRAM-память FM25L512 с шиной SPI

Компания Ramtron производит FM25L512 – сегнетоэлектрическую память (FRAM) емкостью 512Kbit с организацией 65536 x 8bit. FRAM-память с произвольным доступом одновременно является энергонезависимой и выполняет инструкции чтения и записи подобно RAM-памяти, обеспечивая срок сохранности данных более 10 лет. Интерфейсом подключения к памяти служит скоростная шина SPI, работающая в режимах Mode 0 & 3 (CPOL, CPHA=0,0 & 1,1).

Как и стандартные микросхемы EEPROM-памяти, FM25L512 выполняют все операции на частоте шины 20MHz, но без задержек при записи (технология NoDelay). При этом обеспечивается теоретически неограниченная износоустойчивость к циклам записи/стирания и меньшее энергопотребление по сравнению с EEPROM. Предусмотрены аппаратная и программная защиты от записи. Стандартный диапазон напряжения питания FM25L512 составляет 3.0V…3.6V, а ток потребления в режиме ожидания не превышает 20uA.

Все эти преимущества перед EEPROM-памятью определяют специфические области их применения: приложения с энергонезависимым хранением информации, где требуется частая и быстрая запись данных, системы сбора данных или системы управления промышленными процессами, работающие в условиях высокой зашумленности, RF-системы идентификации.

Микросхемы выпускаются в корпусах TDFN-8 (FM25L512-DG) и SOIC-8 (FM25L512-G) для температурного диапазона -40°C...+85°C.

FRAM-память FM25L512 с шиной SPI


По материалам сайта Радио ДЕЛАНЕТ (http://radio.delanet.ru)


Последние новости Подпишитесь на RSS канал
DS3065WP - запоминающее устройство SRAM объемом 8МБ

Cо встроенными часами реального времени [Читать дальше...]