Поиск по Новостям электроники
« 2018 « Февраль
ПнВтСрЧтПтСбВс
   1234
567891011
12131415161718
19202122232425
262728    

 
- радиодетали  |  - справочник  |  - форум  |  - блог  |  - приборы  |  - eeDigest  |  - datasheets
13.03.2007 /Микросхемы памяти FM22L16 - объём микросхем FRAM-памяти достиг 4Mbit

Компания Ramtron анонсировала FM22L16 – микросхему FRAM-памяти объёмом 4Mbit с организацией 256Kx16, способной выполнять операции чтения/записи подобно стандартной SRAM-памяти. Сегнетоэлектрическая память с произвольным доступом – FRAM-память, – являясь энергонезависимой, позволяет сохранять данные при отсутствии напряжения питания в течение более 10 лет. Малое время записи и практически неограниченная износоустойчивость даёт FRAM-памяти неоспоримое преимущество по сравнению с другими типами памяти.

Благодаря схожести алгоритма работы, FM22L16с успехом заменит стандартную SRAM-памятьво многих случаях. Циклы чтения/записи могут переключаться по сигналу /CE или простым изменением адреса. FM22L16 содержит монитор пониженного напряжения питания, блокирующий доступ к массиву памяти при снижении VDD ниже критического порога. Таким образом, память защищается от случайного доступа и повреждения данных. Весь массив памяти FM22L16 поделён на 8 одинаковых блоков, каждый из которых может быть также программно защищён от записи.

  • 4Mbit сегнетоэлектрической энергонезависимой FRAM-памятис организацией 256Kx16
  • возможна конфигурация 512Kx8 с использованием сигналов /UB и /LB
  • количество циклов записи/стирания не менее 1014
  • технология NoDelay – записи без задержек
  • режим постраничных операций до 40MHz
  • корпус совместим по выводам с 256Kx16 SRAM-памятью (JEDEC)
  • время доступа 55ns, время полного цикла 110ns
  • монитор пониженного напряжения VDD предотвращает ошибки записи
  • программная защита блоков от записи
  • сегнетоэлектрический технологический процесс 130nm
  • не требуется резервная батарея для сохранения данных
  • устойчивость к влажности, ударам и вибрации
  • напряжение питания 2.7V…3.6V
  • режим низкого энергопотребления (5uA), выбираемый через вывод ZZ
  • ток потребления в активном режиме 18mA

Микросхемы упакованы в стандартный корпус TSOP-II-44 (FM22L16-55-TG) для температурного диапазона −40°C…+85°C.

FM22L16 - FRAM-память объемом 4Mbit


По материалам сайта Радио ДЕЛАНЕТ (http://radio.delanet.ru)


Последние новости Подпишитесь на RSS канал
DS3065WP - запоминающее устройство SRAM объемом 8МБ

Cо встроенными часами реального времени [Читать дальше...]