Поиск по Новостям электроники
« 2018 « Сентябрь
ПнВтСрЧтПтСбВс
     12
3456789
10111213141516
17181920212223
24252627282930

 
- радиодетали  |  - справочник  |  - форум  |  - блог  |  - приборы  |  - eeDigest  |  - datasheets
10.05.2007 /Микросхемы памяти Микросхемы и модули памяти типа DDR3 от компании Hunix первыми прошли аттестацию у Intel

Компания Hynix Semiconductor, Inc. сообщает об первой, среди утройств этого типа, успешной аттестации микросхем и модулей памяти типа DDR3, проведённой компанией Intel. Изделия компании Hunix, прошедшие аттестацию, - это 1-гигабитная микросхема DDR3 SDRAM, для производства которой используется передовой 80-нанометровый технологический процесс, 1-гигабайтный и 2-гигабайтный модули небуферированной памяти типа DDR3 DIMM. Эти устройства отличаются самыми высокими рабочими частотами, среди устройств этого типа, составляющими 800 МГц и 1066 МГц при напряжении питания 1,5 В. Комбинации таймингов, предлагаемые с такими рабочими частотами, - это 5-5-5 и 6-6-6 для 800 МГц и 7-7-7 для 1066 МГц, что позволяет удовлетворять потребности различных персональных компьютеров и другого оборудования.

Кроме высокого быстродействия, модули памяти типа DDR3 отличаются на 25 % пониженным потреблением тока, по сравнению с текущим поколением памяти - DDR2. Благодаря используемой компанией Hunix аархитектуре "трёхмерный транзистор" сводятся к минимуму утечки тока, что приводит к ещё большему уменьшению потребляемого тока и обеспечению целостности данных.

Массовое производство 1-гигабитных микросхем памяти типа DDR3 по 80-нанометровому технологическому процессу начнётся в третьем квартале этого года. Компания Hunix планирует начать производство этого изделия по новому 66-нанометровому технологическому процессу в конце 2007 года.

Подробнее: Hynix Announces Industry's First DDR3 Validations


По материалам сайта Паяльник (http://news.cxem.net)


Последние новости Подпишитесь на RSS канал
DS3065WP - запоминающее устройство SRAM объемом 8МБ

Cо встроенными часами реального времени [Читать дальше...]